英特尔称插头泄漏芯片


世界上最大的计算机芯片制造商表示,已经开发出一种微小的新型晶体管,它可以泄漏很小的电流更重要的是,英特尔表示该设备将从实验室跃升至制造工厂新架构使该公司能够构建尺寸仅为45纳米的可靠晶体管它们旨在用于下一代功能强大的计算机芯片,每个芯片将包含50亿个晶体管英特尔研究员Ken David表示,新技术克服了微芯片行业面临的最大障碍之一 - 当晶体管小于130纳米时,晶体管会出现电子出血的趋势 “当前泄漏问题非常严重,”加州圣何塞Gartner Dataquest的IT分析师Dean Freeman对此表示赞同其他研究团队也制造了低漏电晶体管,但没有人宣布计划将该方法转变为制造工艺 “这是业界人士一直在等待的事情,”卡内基梅隆大学计算机科学家Larry Pileggi说晶体管是由位于沟道顶部的硅电极组成的开关电极通过产生电场来控制通道中的电流当开关打开时,电流流过通道,反之亦然但是为了阻止电流从通道流向电极,它们必须用绝缘体隔开只有当绝缘体允许电场容易渗透时,才能实现快速切换,这对高性能至关重要因此,随着晶体管变得更快,二氧化硅绝缘层变得更薄在迄今为止最小的晶体管中,它只有五个原子这就是电流泄漏问题出现的地方 - 将绝缘体减薄到这个极限以下并不会增加晶体管的速度,因为电子只是从通道漏出绝缘体因此,为了制造更小,更快的晶体管,需要一种绝缘材料,其允许电场容易地渗透,同时厚度大于纳米或两个 “从设计的角度来看,我们需要更厚的材料,否则就像二氧化硅一样,”大卫解释道芯片制造商一直专注于“高K”材料作为解决方案高Ks,通常是金属基化合物,例如铪硅氮氧化物,非常擅长使电场通过,因此不需要很薄大卫解释说,虽然它们对电场几乎是透明的,但它们是良好的绝缘体高Ks的问题是将它们与硅电极集成在一起电荷往往会增加,从而减少电极对通道中电流的控制高Ks还产生微小的声学能量,称为声子,突出到通道中并阻碍电子流动英特尔的答案是用金属取代硅电极,这可以解决这两个问题在2007年开始制造晶体管之前,英特尔拒绝准确解释这是如何工作的,或者他们选择了哪些金属和高Ks但是其他研究人员已经尝试过类似的方法并说这个想法是合理的 “我不确定这是否是一次重大的技术突破,因为他们还没有告诉我们,”加州斯坦福大学的化学工程师查尔斯马斯格雷夫说 “但事实上,他们将使用它来制造芯片是一个大问题”英特尔的竞争对手德州仪器更加怀疑发言人加里·西尔科特说:“英特尔的建议非常合理,但并不新颖” “在技术准备好生产之前,
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